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igbt模塊參數(shù)

發(fā)布日期:2018-07-07 22:56:58 作者: admin 點(diǎn)擊: 662

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù):集電極、發(fā)射極間電壓(符號(hào):VCES):柵極、發(fā)射極間短路時(shí)的集電極,發(fā)射極間的*大電壓

IGBT(絕柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 柵極發(fā)極間電壓(符號(hào):VGES ):集電極、發(fā)射極間短路時(shí)的柵極,發(fā)射極間*大電壓

 

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 集電極電流(符號(hào):IC ):集電極所允許的*大直流電流

 

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 耗散功率(符號(hào):PC):單個(gè)IGBT所允許的*大耗散功率

 

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 結(jié)溫(符號(hào):Tj):元件連續(xù)工作時(shí)芯片溫廈

 

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 關(guān)斷電流(符號(hào):ICES):柵極、發(fā)射極間短路,在集電極、發(fā)射極間加上指定的電壓時(shí)的集電極電流。

 

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 漏電流(符號(hào):IGES):集電極、發(fā)射極間短路,在柵極、集電極間加上指定的電壓時(shí)的柵極漏電流

 

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 飽和壓降(符號(hào):V CE(sat)):在指定的集電極電流和柵極電壓的下,集電極、發(fā)射極間的電壓。

 

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊的參數(shù): 輸入電容(符號(hào):Clss):集電極、發(fā)射極間處于交流短路,在柵極、發(fā)射極間及集電極、發(fā)射極間加上指定電壓時(shí),柵極、發(fā)射極間的電容


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